מספר מוצר של יצרן:
IPD06N03LA G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD06N03LA G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12804125
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD06N03LA G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2653 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD06N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD06N03LAGINCT
IPD06N03LAGINCT-NDR
IPD06N03LAGXTINTR-DG
IPD06N03LAGXTINTR
IPD06N03LAINCT
IPD06N03LAGXT
IPD06N03LAINTR
IPD06N03LAGINDKR
IPD06N03LAGINTR-NDR
IPD06N03LAINTR-DG
IPD06N03LAG
IPD06N03LA
SP000017600
IPD06N03LAINCT-DG
IPD06N03LAGBUMA1
IPD06N03LAGXTINCT-DG
IPD06N03LAGXTINCT
IPD06N03LAGINTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD060N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1354
DiGi מספר חלק
IPD060N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STD100N3LF3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STD100N3LF3-DG
מחיר ליחידה
1.71
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
IRF100B201
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
IRF7809AVTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
